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Growth and superconducting properties of Cd-doped La(O,F)BiS2 single crystals

机译:Cd掺杂La(O,F)Bis2单晶的生长和超导特性   晶体

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摘要

Cd-doped La(O,F)BiS2 single crystals were grown using a CsCl/KCl flux. Thegrown crystals have a plate-like shape with ~1-2 mm square size in awell-developed ab-plane. The Cd doping in the crystals was successfullycharacterized by single crystal X-ray diffraction and electron probemicroanalysis techniques. The superconductivity of La(O,F)BiS2 was graduallysuppressed with Cd doping. The superconducting transition temperature with zeroresistivity of La(O0.54F0.46)(Bi0.92Cd0.08)S2 was 2.3 K. The Cd doping does notchange the superconducting anisotropy so much, albeit the considerablesuppression of Tc.
机译:使用CsCl / KCl助熔剂生长Cd掺杂的La(O,F)BiS2单晶。生长的晶体在完全发达的ab平面中具有约1-2 mm正方形大小的板状形状。通过单晶X射线衍射和电子探针显微分析技术成功地表征了晶体中的Cd掺杂。 La(O,F)BiS2的超导性被Cd掺杂逐渐抑制。 La(O0.54F0.46)(Bi0.92Cd0.08)S2的零电阻率超导转变温度为2.3K。Cd掺杂并没有太大地改变超导各向异性,尽管Tc的抑制很大。

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